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IXFH 30N60Q
IXFT 30N60Q
60
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
50
40
30
T J = -40oC
50
40
30
T J = -40oC
25oC
125oC
20
10
0
25oC
125oC
20
10
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
80
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
70
60
50
40
8
6
V D S = 300V
I D = 15A
I G = 10mA
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
30
60
90
120
150
180
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1M Hh
C iss
1
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um T ransient T herm al
Resistance
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Puls e Width - millis ec onds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
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